非易失存储

SDK 提供非易失存储，用于应用层参数存储。

• 如果是一次性可编程（OTP）芯片，其存储为 256 字节的 EEPROM。
• 如果是 Flash 芯片，SDK 层使用 4 KB 的 Flash 存储区域，执行 256 字节增量存储，模仿 EEPROM 效果。

概述

概念介绍

概念	说明
非易失存储	设备掉电之后不会丢失的存储。
增量式存储	由于 Flash 存储每次写入之前需要擦除的特点，当 Flash 资源比较多或者为了考虑存储效率和稳定性的情况下，会采用在新的区域写入的方式，实现信息存储。 例如，应用层总共需要存储的所有变量 256 字节。 非增量存储利用 1 块 256 字节的区域，每次写入之前进行擦除，之后再写。 增量存储占用 256*16 字节的 16 个块，第 1 个区域写过了就写在第 2 个，以此类推，当全部写满时进行一次擦除。

功能描述

对 256 字节的 EEPROM 进行抽象的操作 API。尤其，当实际芯片没有 EEPROM 时，底层利用 256*16 字节进行模拟 EEPROM 实现。

这意味着上层最好只用来存储一些短信息，例如灯的开关状态等，不适合存储大量信息。

数据结构

无对外数据结构，用户无需关注。

接口说明

函数	OPERATE_RET hal_storage_256_read_bytes (UINT16_T offset, UINT8_T* pdata, UINT8_T len)	-
作用	256 字节的非易失存储读取	-
入参	offset	256 字节 EEPROM 的访问偏移地址
->	pdata	读取的数据存放处
->	len	希望读取的数据长度

函数	OPERATE_RET hal_storage_256_write_bytes (unsigned short offset, unsigned char* pdata, unsigned char len)	-
作用	256 字节的非易失存储写入	-
入参	offset	256 字节 EEPROM 的访问偏移地址
->	pdata	待写入的数据
->	len	写入数据长度

offset 的要求如下：

• HS256_USER ≤ offset < 256
• offset 必须是 8 的倍数

示例

基线对外 Demo：tuyaos_demo_beaconmesh_peripheral。

void app_led_reset_run(beacon_dev_s *beacon_dev){
    static u8 reset_judge_time = 1;
    static u8 state = STATE_NOT_PAIRED;
    static u32 count_1s_time = 0;
    static u32 count_1s = 0;

    u8 cnt;

    if(beacon_dev->state == STATE_PAIRED){
        if(reset_judge_time != 0){//300ms~6S
            if(hal_clock_time_exceed(0,reset_judge_time*300000)){//300MS
                if(reset_judge_time == 1){
                    reset_judge_time = 20;
                    if(0 == hal_storage_256_read_bytes(HS256_USER, &cnt,1)){//success
                        if(cnt > RESET_MAX_CNT)cnt = 0;
                    }else{
                        cnt = 0;
                    }

                    cnt++;
                    if(cnt >= RESET_MAX_CNT){
                        cnt = 0;
                        ty_beacon2_node_reset(0,180000000);
                        //app_led_blink(0xFF);
                        reset_judge_time = 0;
                    }
                    hal_storage_256_write_bytes(HS256_USER, &cnt,1);
                }else if(reset_judge_time == 20){
                    reset_judge_time = 0;
                    cnt = 0;
                    hal_storage_256_write_bytes(HS256_USER, &cnt,1);
                }
            }
        }
    }
}

使用用户区第 1 偏移的 1 字节，存储在短时间内的上电次数，做三次设备重新上下电重置的逻辑。

功能测试

前置条件

打开 Log。

操作步骤

1. 编写读写代码，查看写入后读出是否正确。
2. 编写读写代码，查看写入后，断电再上电读取是否正确。
3. 编写读写代码，进行 10 万次读写，是否正常。

支持与帮助

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